- Конструкция и технология изготовления кремниевой структуры резистора запатентованы.
- Таблеточная конструкция позволяет:
- минимизировать паразитную индуктивность (<3nH);
- использовать единую систему охлаждения при монтаже с таблеточными полупроводниковыми приборами (диодами, тиристорами, GTO и IGBT);
- повысить надежность и уменьшить размеры мощных высокочастотных генераторов, драйверов и др.;
- увеличить удельную мощность (свыше 10 Вт/см3), что в 5-6 раз выше, чем у обычных резисторов;
- добиться низкого значения теплового сопротивления резистивный элемент-корпус.
- Высокая температурная стабильность (ТХС <10%) в рабочем интервале температур.
- В отличие от большинства резисторов сопротивление пробитого элемента стремится к нулю
(что более благоприятно для цепей защиты индуктивностей).
- Высокая воспроизводимость формы сигнала (высокие значения di/dt>25000 А/мкс).
- Высокие значения максимально допустимой температуры резистора (вплоть до 200°С).
В зависимости от назначения (поглотители, делители, шунты, R-C-D снабберы и др.)
таблеточные резисторы могут быть использованы во всех видах электронной,
электрофизической и измерительной аппаратуры:
- системы питания различного рода мощных высокочастотных генераторов и лазеров;
- мощные преобразователи энергии и частоты;
- электропривод;
- снабберные цепи;
- цепи управления (драйверы) IGBT, GTO и др.
|
| Тип |
Диапазон номинальных сопротивлений, Ом |
Номинальная мощность рассеяния,
Вт ( T=85°C) |
Размеры диаметр/высота, мм |
Рекомендуемые охладители |
| PK133 |
8,2÷39 |
1500÷800 |
54/20 |
О143; О243; О343 |
| Отклонение от номинального сопротивления, %, не более |
+-5 |
|
|