КТ503А,Б,В,Г,Д,Е
NPN КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО – ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР
ПРЕДНАЗНАЧЕН ДЛЯ РАБОТЫ В НИЗКОЧАСТОТНЫХ УСТРОЙСТВАХ
АППАРАТУРЫ ШИРОКОГО ПРИМЕНЕНИЯ
* Комплементарная пара - КТ502А-Е
* Заpубежный аналог – KSC815
* Изготавливается в корпусе КТ-26 (ТО-92).
1 – Коллектор 2 – База 3 – Эмиттер
ПРЕДЕЛЬНО- ДОПУСТИМЫЕ РЕЖИМЫ ЭКСПЛУАТАЦИИ
Параметры | Обозначение | Ед. измер. | КТ503А | КТ503Б | КТ503В | КТ503Г | КТ503Д | КТ503Е |
Напряжение коллектор-база | Uкб max | В | 40 | 40 | 60 | 60 | 80 | 90 |
Напpяжение коллектоp-эмиттеp | Uкэ max | В | 25 | 25 | 40 | 40 | 60 | 80 |
Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 5 |
Постоянный ток коллектора | Iк max | мА | 150 |
Постоянный ток базы | Iб max | мА | 100 |
Импульсный ток коллектора (tи≤10 мс, Q ≥10) |
Iки max | мА | 300 |
Рассеиваемая мощность коллектора | Pк max | мВт | 350 |
Температура перехода | Tj | °C | 150 |
ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ( Tокр.ср.=25°C )
Паpаметpы | Обозначение | Ед. измеp | Режимы измеpения | Min | Max |
Гр. напряжение коллектор-эмиттер | Uкэо гp. | B | Iк=10mA, Iб=0 | 25-80 | |
Обратный ток коллектора | Iкбo | мкА | Uкб= Uкб max | | 1 |
Статический коэффициент передачи тока | h21Е | | Uкэ=5B, Iк=10 мA | 40 | 240 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Uкэ(нас) | В | Iк=10 мA, Iб=1 мA | | 0,6 |
Напряжение насыщения база-эмиттер | Uбэ(нас)* | В | Iк=10 мA, Iб=1 мA | | 1,2 |
Граничная частота коэф. передачи тока | fгр. * | МГц | Uкб= 5B, Iэ=-3 мA | 5 | |
Емкость коллекторного перехода | Ск * | пФ | Uкб= 5B, f=1МГц | | 50 |
|